기술의 개념
종래의 MOSFET은 문턱 전압 이하 기울기(subthreshold swing)를 60mV/dec 이하로 낮추는 것이 곤란하여 소자를 작게 만드는 소형화의 한계에 봉착하였음
터널링 트랜지스터는 MOSFET과 대조적으로 하나의 에너지 밴드에서 다른쪽으로 이동하는 밴드간 터널링(interband tunneling)을 이용함
게이트 전압에 의해 소스와 채널 사이의 밴드를 변경하여 도통과 차단을 제어함
터널링 트랜지스터는 가능한 높은 터널링 전압과 급격한 기울기를 이루기 위해, 밴드갭, 유효질량, 터널링 거리가 최소화되어야 할 뿐만 아니라, 소자의 구조, 크기, 도핑 프로파일, 게이트 캐패시턴스와 같은 파라미터에 의해 많은 영향을 받음
기술의 특징
터널링 트랜지스터는 종래의 MOSFET에 비하여 높은 문턱 전압 이하 기울기를 가져 저전압 구동시 종래 MOSFET에 비하여 유리한 전달 특성을 나타냄
기술 개념도
