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레이저 광을 기판에 수평한 방향으로 방출할 수 있어, 커플러 등의 부가적인 구성이 요구되지 않음.

반도체층과의 오믹컨택을 유지할 수 있는 발광다이오드용 반사전극 제조방법 종래에 자외선 영역에서 우수한 반사율을 보이는 알루미늄 금속을 반사전극으로 구성할 경우 반도체 층과 오믹 컨택이 불가능한 문제점을 반도체 층 상에 전도체 홀 어레이층을 포함하여 반도체층과 오믹컨택을 유지한으로써 해결할 수 있음 따라서, 전도체 홀 어레이 층을 10 내지 1000 nm두께, 50 내지 1500 nm홀 크기로 형성된 구성을 포함하여 오믹컨택을 유지할 수 있는 효과 제공 가능 기술 2: 전방향 반사전극을 형성하여 최대한의 반사도를 확보한 방향 반사전극 제조 방법 본 발명은 저굴절 층을 나노 기공플레이트 층(205)으로 대체하여 전방향 반사전극(205, 202, 23)에서 가지는 최대한의 반사도를 확보할 수 있다. 또한, 종래의 저굴절 층에서의 흡수로인한 문제점을 나노 기공플레이트 층(205)으로 대체함으로 파장에 관계없이 태양광 전 영역에서 높은 반사도를 유지할 수 있는 구조를 제공할 수 있음   기술 개념도

물결형상 반도체 나노와이어의 제조방법 및 이에 의해 제조된 물결형상 반도체 나노와이어에 관한 것으로, 반도체의 패턴을 형성한 후 식각하며, 식각된 반도체 기판의 측면에 고분자 코팅을 하여 다시 식각하는 공정을 반복적으로 수행하여 최종적으로는 물결형상 반도체 나노와이어를 제조하는 물결형상 반도체 나노와이어의 제조방법 및 이에 의해 제조된 물결형상 반도체 나노와이어에 관련한 기술임 이러한 구조를 이용하여 광대역 파장에 대해 공명현상을 통해 넓은 파장의 영역에 대한 빛 흡수가 가능하도록 활용하는 기술임   기술 개념도

물결형태의 외벽을 포함하는 반도체 나노와이어 및 이를 포함하는 광대역 광흡수체에 관한 것으로, 물결형태의 오목부 또는 볼록부가 주기적으로 형성되고, 오목부 또는 볼록부에 의한 광대역 파장에서 광흡수 특성이 향상된 반도체 나노와이어 및 이를 포함하는 광대역 광흡수체에 관련한 기술임   기술 개념도

□ 기존의 발광 다이오드 반사전극의 열처리에 의한 반사율 저하 및 p형 반도체와의 접촉 문제를 개선한 기술임 □ 기존의 반사전극층을 대신하여, 저굴절률의 나노 기공 플레이트를 형성하고 Al 및 Ag 반사전극을 형성하여 낮은 굴절률에서 흡수가 없는 전방향 반사 전극을 가진 반사전극층을 형성함

ITO 등의 산화물 투명전극을 대체할 수 있는 높은 투과도와 전기 전도도 특성을 가진 투명전극에 대한 기술임 기판 상에 레지스트층을 일부 노광하여 나노 점 영역을 형성한 후 금속을 증착하고 레지스트를 제거하거나, 기판 상에 고분자 나노 입자를 포함하는 용액을 코팅한 후 금속을 증착하고 나노입자를 제거하는 등의 방법으로, 나노 홀 어레이가 형성된 투명전극을 제조함 금속 나노 홀 어레이에 의한 표면 플라즈몬 현상을 이용한 금속 막 구조 투명 자석 및 금속 막 구조 투명 자석 제작 방법에 대한 기술 본 기술의 금속 막 구조 투명 자석은 나노 홀 어레이가 형성되는 한층 이상의 금속 막을 포함하고, 한층 이상의 금속 막은, 나노 홀 어레이로 광이 입사 됨에 따라, 표면 플라즈몬(Surface Plasmon)을 발생하여 광투과성을 향상시키는 특징을 가짐 자외선 영역에서 높은 투과도와 우수한 전기전도도 특성을 갖는 투명 전극에 대한 기술임 기판에 이빔 레지스트 패턴층을 형성하고 패턴층 상에 금속층을 증착시킨후 레지스트를 제거하여 렌티큘러 형상의 금속 나노선이 교차되어 있는 금속 나노홀 어레이를 형성하고, 금속 나노홀 어레이 상에 그래핀층을 형성하여 자외선 영역에서 높은 투과도를 갖는 투명전극을 제조함